WEKO3
アイテム
Photoluminescence Properties of Implanted Praseodymium into Gallium Nitride at Elevated Temperature
https://repo.qst.go.jp/records/77614
https://repo.qst.go.jp/records/77614a7062c8b-b117-4c10-87ad-151cabf621d7
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-11-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Photoluminescence Properties of Implanted Praseodymium into Gallium Nitride at Elevated Temperature | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
Sato, Shinichiro
× Sato, Shinichiro× Deki, Manato× Nishimura, Tomoaki× Okada, Hiroshi× Ohshima, Takeshi× Sato, Shinichiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | In this study, we investigate the photoluminescence (PL) properties of implanted Praseodymium (Pr) ions into GaN at temperatures up to 1200 oC to clarify the effect of implantation temperature on the Pr3+ activation. | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 23rd International Workshop on Inelastic Ion-Surface Collisions | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-11-20 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
