WEKO3
アイテム
SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定
https://repo.qst.go.jp/records/77607
https://repo.qst.go.jp/records/77607d768416f-95e4-4ae2-a355-9213e9cca643
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-11-25 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
山崎, 雄一
× 山崎, 雄一× 千葉, 陽史× 佐藤, 真一郎× 牧野, 高紘× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 土方, 泰斗× 児嶋, 一聡× 土田, 秀一× 星乃, 紀博× 大島, 武× Yamazaki, Yuichi× Chiba, Yoji× Sato, Shinichiro× Makino, Takahiro× Yamada, Naoto× Sato, Takahiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | プロトンビーム描画(PBW)を用いてSiC pnデバイス中に3次元配列VSiの形成を行い、光・電気同時励起時における光学特性を評価した。その結果、光・電気同時励起下では、伝導電子が光励起、ODMRサイクルを阻害(パウリの排他律による)することが示唆された。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-09-20 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
