@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077607,
 author = {山崎, 雄一 and 千葉, 陽史 and 佐藤, 真一郎 and 牧野, 高紘 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 児嶋, 一聡 and 土田, 秀一 and 星乃, 紀博 and 大島, 武 and Yamazaki, Yuichi and Chiba, Yoji and Sato, Shinichiro and Makino, Takahiro and Yamada, Naoto and Sato, Takahiro and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {プロトンビーム描画(PBW)を用いてSiC pnデバイス中に3次元配列VSiの形成を行い、光・電気同時励起時における光学特性を評価した。その結果、光・電気同時励起下では、伝導電子が光励起、ODMRサイクルを阻害(パウリの排他律による)することが示唆された。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {SiCデバイス内の3次元配列シリコン空孔を用いた光検出磁場共鳴測定},
 year = {2019}
}