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アイテム
4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオン ビーム照射の影響
https://repo.qst.go.jp/records/74779
https://repo.qst.go.jp/records/74779995ff318-86c0-436d-a0ea-72c64f724e80
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-03-18 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥の形成におけるイオン ビーム照射の影響 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
楢原, 拓真
× 楢原, 拓真× 佐藤, 真一郎× 土方, 泰斗× 大島, 武× Narahara, Takuma× Sato, Shinichiro× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 4H -SiC 中の窒素・空孔複合欠陥（NVセンター)の形成におけるイオン ビーム照射量・イオン種依存性について調べた。窒素を含む基板では重イオンほどNVセンターが増加するが、窒素をほとんど含まない基板では窒素が最もNVセンターが多かった。これは打ち込んだ窒素自身がNVセンター形成に寄与するためと考察した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-03-11 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
