WEKO3
アイテム
バッファー層を用いたSi基板上への高品位鉄酸化物薄膜の作製
https://repo.qst.go.jp/records/74701
https://repo.qst.go.jp/records/747017fb9bd08-875b-42a8-96fc-2e802a1a138a
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-01-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | バッファー層を用いたSi基板上への高品位鉄酸化物薄膜の作製 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
山中, 健太
× 山中, 健太× 高野, 健吾× 山口, 憲司× Yamanaka, Kenta× Takano, Kengo× Yamaguchi, Kenji |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Si 基板上に種々の機能性薄膜を作製することはデバイス応用にとって重要なプロセスである。例 えば、Fe3O4 (magnetite) はその高いスピン偏極率からスピントロニクスデバイス用材料として期待されている物質であるが、Si 基板上に直接作製した報告は少なく、高品位な薄膜を作製するには Al₂O₃などのバッファー層を使用する方法がとられている 。そこで、筆者らはバッファー層に Al2O3と同様に化学的に安定で、かつ Al2O3よりも Fe₃O₄との格子整合性が高い MgOに着目し、単相のエピタキシャル Fe₃O₄薄膜を作製するために必要な、MgOの高品位膜をSi基板上に作製する条件を探索した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-03-10 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
