WEKO3
アイテム
イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi 2 膜中の空孔型欠陥評価
https://repo.qst.go.jp/records/74679
https://repo.qst.go.jp/records/74679af34960f-f42c-4904-9008-2e188354e56c
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-03-11 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi 2 膜中の空孔型欠陥評価 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
薮内, 敦
× 薮内, 敦× 唐津, 拓弥× 木野村, 淳× 前川, 雅樹× 河裾, 厚男× Maekawa, Masaki× Kawasuso, Atsuo |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi2では、AlドープによりPL発光強度が増大することが報告されており，Siサイトを置換するAl原子がSi空孔形成を抑制するためであると言われていた．しかし陽電子消滅法による評価からはAlドープによる空孔型欠陥形成を示唆する結果が得られていた．今回，β-FeSi2試料における陽電子捕獲サイトについて調べた結果，AlドープによるFe空孔形成の可能性が見出された． | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-03-11 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
