@misc{oai:repo.qst.go.jp:00074679,
 author = {薮内, 敦 and 唐津, 拓弥 and 木野村, 淳 and 前川, 雅樹 and 河裾, 厚男 and Maekawa, Masaki and Kawasuso, Atsuo},
 month = {Mar},
 note = {イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi2では、AlドープによりPL発光強度が増大することが報告されており，Siサイトを置換するAl原子がSi空孔形成を抑制するためであると言われていた．しかし陽電子消滅法による評価からはAlドープによる空孔型欠陥形成を示唆する結果が得られていた．今回，β-FeSi2試料における陽電子捕獲サイトについて調べた結果，AlドープによるFe空孔形成の可能性が見出された．, 第66回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {イオンビーム合成法で作製したβ-FeSi 2 膜中の空孔型欠陥評価},
 year = {2019}
}