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アイテム
MeV級C60イオンビームの高強度化に向けた負イオン源の開発
https://repo.qst.go.jp/records/73054
https://repo.qst.go.jp/records/7305456ad7d78-ace3-4587-9363-2f8f74feacd5
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2018-11-27 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | MeV級C60イオンビームの高強度化に向けた負イオン源の開発 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
山田, 圭介
× 山田, 圭介× 千葉, 敦也× 平野, 貴美× 鳴海, 一雅× 齋藤, 勇一× 山田 圭介× 千葉 敦也× 平野 貴美× 鳴海 一雅× 齋藤 勇一 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | TIARAタンデム加速器を用いたMeV級C60イオンビームの生成では、独自に開発したC60の高い電子親和力を利用する電子付着型負イオン源が用いられている。本イオン源はオーブンで昇華したC60にフィラメントから放出された熱電子を直接付着させることによって負イオンを生成するものであり、得られるビーム強度は100nA程度と従来の手法の数千倍の強度を達成している。マイクロビーム化や高フルエンスを必要とする照射実験には更なるビーム強度が求められるため、電子付着型負イオン源の高強度化を目的とした開発を進めている。本研究では、フィラメントに印加したバイアス電圧を制御することで、C60負イオンビーム強度を増大させることに成功した。本シンポジウムでは、イオン源の構造及び負イオン生成試験の結果について報告する。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第17回放射線プロセスシンポジウム | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2018-11-21 | |||||
日付タイプ | Issued |