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アイテム
プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定
https://repo.qst.go.jp/records/73007
https://repo.qst.go.jp/records/73007fc48d260-4cf4-45ce-8805-aa9651042ea3
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2018-11-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | プロトンビーム描画により形成されたSiC pnダイオード中シリコン空孔のODMR測定 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
千葉, 陽史
× 千葉, 陽史× 山崎, 雄一× 牧野, 高紘× 佐藤, 真一郎× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 加田, 渉× 児島, 一聡× 土方, 泰斗× 大島, 武× 千葉 陽史× 山崎 雄一× 牧野 高紘× 佐藤 真一郎× 山田 尚人× 佐藤 隆博× 加田 渉× 大島 武 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | SiC p+pn+ダイオード中に、プロトンビーム描画(PBW)を用いてシリコン空孔(VSi)を形成した。VSiからのフォトルミネッセンスを観測するとともに、量子センシングの基本操作である光検出磁気共鳴(ODMR)測定を行い、信号の磁場強度依存性を確認した。これらの結果は、電流駆動型デバイス内蔵量子センサの動作実証へ向けて、スピン操作可能なVSiをデバイス中に形成できたことを示している。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第5回講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2018-11-07 | |||||
日付タイプ | Issued |