WEKO3
アイテム
a面およびm面4H-SiC MOSFET における単一光子源の探索
https://repo.qst.go.jp/records/72998
https://repo.qst.go.jp/records/72998f5053aa8-06a1-4635-ba88-9f72f100cbe4
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-11-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | a面およびm面4H-SiC MOSFET における単一光子源の探索 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
阿部, 裕太
× 阿部, 裕太× 梅田, 享英× 岡本, 光央× 原田, 信介× 佐藤, 真一郎× 山﨑, 雄一× 大島, 武× 佐藤 真一郎× 山崎 雄一× 大島 武 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ダイヤモンドのNVセンターに代表される単一光子源SPS（Single Photon Source:）は、量子センシングや量子暗号通信などへの応用が可能であり、近年、盛んに研究が行われている。SiCにおいても室温で高輝度で発光するSPSの存在が相次いで報告されている。我々もSiC-MOSFETのチャネル領域（SiC/SiO2界面）にNVセンターの2倍以上の明るさをもつ界面SPSが発生していることを発見し、MOSFET中の界面SPSの電界制御が可能であることを実証した。この界面SPSはこれまではC面ウェット酸化界面でのみ見つかっていたが、今回はこれまでSPSの報告例がなかったa面、m面（どちらも窒化界面）においても界面SPSを見出したので報告をする。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会第5回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-11-07 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
