@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072998,
 author = {阿部, 裕太 and 梅田, 享英 and 岡本, 光央 and 原田, 信介 and 佐藤, 真一郎 and 山﨑, 雄一 and 大島, 武 and 佐藤 真一郎 and 山崎 雄一 and 大島 武},
 month = {Nov},
 note = {ダイヤモンドのNVセンターに代表される単一光子源SPS（Single Photon Source:）は、量子センシングや量子暗号通信などへの応用が可能であり、近年、盛んに研究が行われている。SiCにおいても室温で高輝度で発光するSPSの存在が相次いで報告されている。我々もSiC-MOSFETのチャネル領域（SiC/SiO2界面）にNVセンターの2倍以上の明るさをもつ界面SPSが発生していることを発見し、MOSFET中の界面SPSの電界制御が可能であることを実証した。この界面SPSはこれまではC面ウェット酸化界面でのみ見つかっていたが、今回はこれまでSPSの報告例がなかったa面、m面（どちらも窒化界面）においても界面SPSを見出したので報告をする。, 先進パワー半導体分科会第5回講演会},
 title = {a面およびm面4H-SiC MOSFET における単一光子源の探索},
 year = {2018}
}