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  1. 学会発表・講演等
  2. ポスター発表

Various single photon sources observed in SiC pin diodes

https://repo.qst.go.jp/records/72517
https://repo.qst.go.jp/records/72517
566df079-d077-4456-b95a-e07177423d50
Item type 会議発表用資料 / Presentation(1)
公開日 2017-11-09
タイトル
タイトル Various single photon sources observed in SiC pin diodes
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f
資源タイプ conference object
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 Tsunemi, Hiroki

× Tsunemi, Hiroki

WEKO 714164

Tsunemi, Hiroki

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Honda, Tomoya

× Honda, Tomoya

WEKO 714165

Honda, Tomoya

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Makino, Takahiro

× Makino, Takahiro

WEKO 714166

Makino, Takahiro

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Onoda, Shinobu

× Onoda, Shinobu

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Onoda, Shinobu

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Sato, Shinichiro

× Sato, Shinichiro

WEKO 714168

Sato, Shinichiro

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Hijikata, Yasuto

× Hijikata, Yasuto

WEKO 714169

Hijikata, Yasuto

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Ohshima, Takeshi

× Ohshima, Takeshi

WEKO 714170

Ohshima, Takeshi

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常見 大貴

× 常見 大貴

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en 常見 大貴

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本多 智也

× 本多 智也

WEKO 714172

en 本多 智也

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牧野 高紘

× 牧野 高紘

WEKO 714173

en 牧野 高紘

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小野田 忍

× 小野田 忍

WEKO 714174

en 小野田 忍

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佐藤 真一郎

× 佐藤 真一郎

WEKO 714175

en 佐藤 真一郎

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大島 武

× 大島 武

WEKO 714176

en 大島 武

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Luminescence centers formed in the vicinity of SiC surface are expected to be utilized as Single Photon Sources (SPSs) because of the high-brightness and the potential of electric control at room temperature. In order to gain more insight into the surface SPSs, 4H-SiC pin-diodes are fabricated and the surface SPSs formed in the pin diodes are investigated using a confocal laser scanning fluorescence microscope (CFM). Locations where the surface SPSs appear as well as photoluminescence spectra of the observed surface SPSs are presented. Antibunching characteristics of the surface SPSs are also investigated by the second order autocorrelation function measurement. We conclude that two different types of surface SPSs appear in the surface of 4H-SiC. The location dependence of the observed surface SPSs indicates that oxide layer on 4H-SiC plays an important role in the formation of surface SPSs, whereas neither ion implantation nor donor ions affected. The peak wavelength of luminescence spectra widely varies depending on their locations, indicating lattice strain introduced by the oxide layer has the potential to affect the luminescence spectra.
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)
内容記述タイプ Other
内容記述 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017
発表年月日
日付 2017-09-19
日付タイプ Issued
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Ver.1 2023-05-15 19:38:55.936763
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