WEKO3
アイテム
シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構
https://repo.qst.go.jp/records/72137
https://repo.qst.go.jp/records/721375edbeeab-485b-4a6c-8125-923805583e2b
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2017-01-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
河野, 七瀬
× 河野, 七瀬× 板倉, 隆二× 坪内, 雅明× 河野 七瀬× 板倉 隆二× 坪内 雅明 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 光励起された半導体内に発生する自由電子(キャリア)は励起光とともに進行するプラズマミラーとなるため,対向に進行するTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究は,励起光を800 nmのフェムト秒パルス光とし,光励起されたシリコン(Si)内にて相対論的ドップラー反射したTHz光の電場波形解析および励起光強度依存性からその反射機構を解明した。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第9回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2017-01-24 | |||||
日付タイプ | Issued |