@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072137,
 author = {河野, 七瀬 and 板倉, 隆二 and 坪内, 雅明 and 河野 七瀬 and 板倉 隆二 and 坪内 雅明},
 month = {Jan},
 note = {光励起された半導体内に発生する自由電子(キャリア)は励起光とともに進行するプラズマミラーとなるため，対向に進行するTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究は，励起光を800 nmのフェムト秒パルス光とし，光励起されたシリコン(Si)内にて相対論的ドップラー反射したTHz光の電場波形解析および励起光強度依存性からその反射機構を解明した。, 第９回文部科学省「最先端の光の創成を目指したネットワーク研究拠点プログラム」シンポジウム},
 title = {シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構},
 year = {2017}
}