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アイテム
シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構
https://repo.qst.go.jp/records/72090
https://repo.qst.go.jp/records/72090db44b255-ab72-4d15-96f0-9bd5bf9be461
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2016-12-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
河野, 七瀬
× 河野, 七瀬× 板倉, 隆二× 坪内, 雅明× 河野 七瀬× 板倉 隆二× 坪内 雅明 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 半導体を光励起した際に発生する自由電子(キャリア)は，十分に高い密度を有する場合，テラヘルツ(THz)光をプラズマ反射する。キャリアは半導体内部で励起光とともに進行するプラズマミラーとして振る舞うため，対向に照射したTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究では，光励起-THz検出時間分解分光法を用いてドップラー反射したTHz光を観測し，反射THz光の電場波形および周波数スペクトルの解析から，光励起過程におけるキャリアダイナミクス，及び，ドップラー反射機構の解明を行った。その結果，ドップラー反射による周波数のシフト量が進行するプラズマミラーとTHzパルスの相互作用時間に依存することを明らかにした。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 光・量子ビーム科学合同シンポジウム | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2016-11-24 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
