@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072090,
 author = {河野, 七瀬 and 板倉, 隆二 and 坪内, 雅明 and 河野 七瀬 and 板倉 隆二 and 坪内 雅明},
 month = {Nov},
 note = {半導体を光励起した際に発生する自由電子(キャリア)は，十分に高い密度を有する場合，テラヘルツ(THz)光をプラズマ反射する。キャリアは半導体内部で励起光とともに進行するプラズマミラーとして振る舞うため，対向に照射したTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究では，光励起-THz検出時間分解分光法を用いてドップラー反射したTHz光を観測し，反射THz光の電場波形および周波数スペクトルの解析から，光励起過程におけるキャリアダイナミクス，及び，ドップラー反射機構の解明を行った。その結果，ドップラー反射による周波数のシフト量が進行するプラズマミラーとTHzパルスの相互作用時間に依存することを明らかにした。, 光・量子ビーム科学合同シンポジウム},
 title = {シリコン内光誘起プラズマによるテラヘルツ光の相対論的ドップラー反射機構},
 year = {2016}
}