WEKO3
アイテム
その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討
https://repo.qst.go.jp/records/72018
https://repo.qst.go.jp/records/720188342d8ec-8ee0-4103-8fbe-ea6fe4ee8fb5
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-09-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
佐々木, 拓生
× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 佐々木 拓生× 高橋 正光 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 金（Au）などの金属触媒を用いたVLS（Vapor-Liquid-Solid）法は簡便かつ、比較的制御性が高いことから、III-V族半導体ナノワイヤ（NW）の成長技術として広く用いられている。これまでAu触媒GaAs-NWの成長過程は、実験的および理論的アプローチから詳細に検討されているものの、混晶であるインジウムガリウム砒素（InGaAs）NWについての報告例は極めて少ないのが現状である。InGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを広範囲に制御できる特徴があり、デバイス設計の幅が格段に広がることが期待される。本研究はGa、Asに加え、原料にInを供給することによるNW成長への影響を明らかにするため、その場放射光X線回折による結晶成長ダイナミクスを検討する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第77回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2016-09-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
