{"created":"2023-05-15T14:52:44.910002+00:00","id":72018,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"f17bf458-85bb-4998-a313-7e648cbce006"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"72018","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"72018"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00072018","sets":["10:28"]},"author_link":["709345","709348","709347","709346"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2016-09-15","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"金（Au）などの金属触媒を用いたVLS（Vapor-Liquid-Solid）法は簡便かつ、比較的制御性が高いことから、III-V族半導体ナノワイヤ（NW）の成長技術として広く用いられている。これまでAu触媒GaAs-NWの成長過程は、実験的および理論的アプローチから詳細に検討されているものの、混晶であるインジウムガリウム砒素（InGaAs）NWについての報告例は極めて少ないのが現状である。InGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを広範囲に制御できる特徴があり、デバイス設計の幅が格段に広がることが期待される。本研究はGa、Asに加え、原料にInを供給することによるNW成長への影響を明らかにするため、その場放射光X線回折による結晶成長ダイナミクスを検討する。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"第77回応用物理学会秋季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"佐々木, 拓生"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"709345","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"高橋, 正光"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"709346","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"佐々木 拓生","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"709347","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"高橋 正光","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"709348","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["28"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2016-09-19"},"publish_date":"2016-09-19","publish_status":"0","recid":"72018","relation_version_is_last":true,"title":["その場X線回折によるAu触媒InGaAsナノワイヤの成長過程検討"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T19:44:44.912613+00:00"}