WEKO3
アイテム
Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング
https://repo.qst.go.jp/records/66963
https://repo.qst.go.jp/records/6696364770d75-b26d-4090-8d8e-b8b4b4d0aa12
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-11-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
三木, 一司
× 三木, 一司× 河裾, 厚男× 前川, 雅樹× 田尻, 寛男× 八方, 直久× Artoni, Kevin Roquero Ang× 林, 好一× 河裾 厚男× 前川 雅樹 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Si結晶中のBiドーパントは70meVと深いドーパント準位を持ち、40K以下でS=1/2の局所スピンとなる。Biのドナー準位のコヒーレンス時間は10Kでは0.1秒程度で10万回以上の演算ができ、エラー量子訂正を用いると半無限の演算が可能となる。このプラットフォームの技術進展には、Si結晶中のBiドーパントの構造制御が必要となる。我々は理想的なSi: Bi試料の実現を目指し、Si中にBiをイオン注入した試料において、欠陥を最大限除去するアニール条件を電気的、光学的、局所構造的、欠陥構造密度の４つの視点から検討している。本研究では、その第一報としてイオン注入後のアニール処理を陽電子消滅法を利用して予備検討した内容を報告する。 Si: Bi試料は量研イオン照射研究施設(TIARA)で作製した。Biイオン注入エネルギーは370keVとした。照射後に行った600℃でのアニールにより、5.5E14cm-3以下のドーズ量では欠陥回復がみられた。これは以下のように説明できると考えている：重元素であるBiが比較的軽い元素であるSi結晶中に注入されると、運動エネルギーは軽元素であるSiに効率的に移行し、その後はSi原子間での衝突が繰り返され、Si結晶中にはアモルファス化された空間が多く生成する。しかし600度はSiの固相エピタキシーが生じる温度であるため、結晶に接するアモルファス部が再結晶化され、ボイド等の空間が消滅し、欠陥が回復する。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-09-19 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
