{"created":"2023-05-15T14:48:53.077853+00:00","id":66963,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"f673464a-1d86-400b-9aea-e841ab61159d"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"66963","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"66963"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00066963","sets":["10:29"]},"author_link":["658178","658179","658172","658176","658174","658171","658177","658175","658173"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2018-09-19","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"Si結晶中のBiドーパントは70meVと深いドーパント準位を持ち、40K以下でS=1/2の局所スピンとなる。Biのドナー準位のコヒーレンス時間は10Kでは0.1秒程度で10万回以上の演算ができ、エラー量子訂正を用いると半無限の演算が可能となる。このプラットフォームの技術進展には、Si結晶中のBiドーパントの構造制御が必要となる。我々は理想的なSi: Bi試料の実現を目指し、Si中にBiをイオン注入した試料において、欠陥を最大限除去するアニール条件を電気的、光学的、局所構造的、欠陥構造密度の４つの視点から検討している。本研究では、その第一報としてイオン注入後のアニール処理を陽電子消滅法を利用して予備検討した内容を報告する。\nSi: Bi試料は量研イオン照射研究施設(TIARA)で作製した。Biイオン注入エネルギーは370keVとした。照射後に行った600℃でのアニールにより、5.5E14cm-3以下のドーズ量では欠陥回復がみられた。これは以下のように説明できると考えている：重元素であるBiが比較的軽い元素であるSi結晶中に注入されると、運動エネルギーは軽元素であるSiに効率的に移行し、その後はSi原子間での衝突が繰り返され、Si結晶中にはアモルファス化された空間が多く生成する。しかし600度はSiの固相エピタキシーが生じる温度であるため、結晶に接するアモルファス部が再結晶化され、ボイド等の空間が消滅し、欠陥が回復する。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"三木, 一司"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658171","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"河裾, 厚男"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658172","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"前川, 雅樹"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658173","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"田尻, 寛男"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658174","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"八方, 直久"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658175","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Artoni, Kevin Roquero Ang"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658176","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"林, 好一"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658177","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"河裾 厚男","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658178","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"前川 雅樹","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"658179","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["29"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2018-11-05"},"publish_date":"2018-11-05","publish_status":"0","recid":"66963","relation_version_is_last":true,"title":["Si結晶中へのBiのイオン注入ドーピング"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T20:43:00.995964+00:00"}