WEKO3
アイテム
プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成
https://repo.qst.go.jp/records/66646
https://repo.qst.go.jp/records/6664699567fbb-0567-48e8-b983-62d8195a6c60
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2018-03-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
千葉, 陽史
× 千葉, 陽史× 常見, 大貴× 本多, 智也× 牧野, 高紘× 佐藤, 真一郎× 山田, 尚人× 佐藤, 隆博× 土方, 泰斗× 大島, 武× 千葉 陽史× 常見 大貴× 本多 智也× 牧野 高紘× 佐藤 真一郎× 山田 尚人× 佐藤 隆博× 大島 武 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 量子暗号通信、量子センサーへの応用が期待されている、炭化ケイ素(SiC)半導体中の原子空孔(Vsi)について発表を行う。本研究では、Vsiの発光の電気的制御を実現すべく、SiC pinダイオードを作製し、プロトンビーム照射によってVsiの形成を行った。本講演では、ダイオードを用いたVsiへの電圧印加による、Vsiの発光制御の可能性についても報告する予定である。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第65回応用物理学会春季学術講演会参加 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2018-03-19 | |||||
日付タイプ | Issued |