@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066646,
 author = {千葉, 陽史 and 常見, 大貴 and 本多, 智也 and 牧野, 高紘 and 佐藤, 真一郎 and 山田, 尚人 and 佐藤, 隆博 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and 千葉 陽史 and 常見 大貴 and 本多 智也 and 牧野 高紘 and 佐藤 真一郎 and 山田 尚人 and 佐藤 隆博 and 大島 武},
 month = {Mar},
 note = {量子暗号通信、量子センサーへの応用が期待されている、炭化ケイ素（SiC）半導体中の原子空孔(Vsi)について発表を行う。本研究では、Vsiの発光の電気的制御を実現すべく、SiC pinダイオードを作製し、プロトンビーム照射によってVsiの形成を行った。本講演では、ダイオードを用いたVsiへの電圧印加による、Vsiの発光制御の可能性についても報告する予定である。, 第65回応用物理学会春季学術講演会参加},
 title = {プロトンビーム描画を用いたSiC pinダイオード中への発光中心の形成},
 year = {2018}
}