WEKO3
アイテム
III-V族半導体ナノワイヤの構造多形形成機構
https://repo.qst.go.jp/records/66586
https://repo.qst.go.jp/records/66586b847ca3c-10d6-4c1c-b45b-2ff03ab302f4
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-01-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | III-V族半導体ナノワイヤの構造多形形成機構 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
高橋, 正光
× 高橋, 正光× Takahashi, Masamitsu |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 金触媒GaAsナノワイヤの構造多形について、放射光その場X線回折をおこない、積層欠陥密度など結晶構造の分布に関する情報を含めて決定した。測定結果は、GaAsナノワイヤの成長を核形成理論に基づくシミュレーションに基づいて考察した。その結果、ZB上のWZ成長核、WZ上のZB成長核が形成するさいに、高いエネルギー障壁があることが明らかになった。また、成長初期に見られるZB成長からWZ成長への変化は、核形成サイトの違いが要因であることがわかった。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 特別研究プロジェクト「結晶成長の数理」第12回研究会発表 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-12-16 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
