WEKO3
アイテム
Observation of Single Photon Sources in Silicon Carbide PiN Diodes
https://repo.qst.go.jp/records/66426
https://repo.qst.go.jp/records/66426c1027183-f3e8-4b97-8c7b-0e8a57348c6e
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-09-13 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Observation of Single Photon Sources in Silicon Carbide PiN Diodes | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
Ohshima, Takeshi
× Ohshima, Takeshi× Honda, Tomoya× Tsunemi, Hiroki× Makino, Takahiro× Sato, Shinichiro× Onoda, Shinobu× Hijikata, Y.× C., Johnson B.× R., Klein J.× Lohrmann, A.× C., McCaiium J.× 大島 武× 本多 智也× 常見 大貴× 牧野 高紘× 佐藤 真一郎× 小野田 忍 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | In-plain pi(n-)n diodes were fabricated on n-type epitaxial 4H-SiC layer grown on a n-type 4H-SiC substrate. As a result of confocal photoluminescence measurements, two types of single photon sources were observed in n-type region of 4H-SiC pin diodes | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | International Union of Materials Research Societies, The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM2017) | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-08-29 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
