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SiC pin ダイオード中の発光中心の観察
https://repo.qst.go.jp/records/66249
https://repo.qst.go.jp/records/66249d22a3b90-fe69-421e-aa2e-16e850da7238
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-03-29 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | SiC pin ダイオード中の発光中心の観察 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
常見, 大貴
× 常見, 大貴× 本多, 智也× 牧野, 高紘× 小野田, 忍× 佐藤, 真一郎× 土方, 泰斗× 大島, 武× 本多 智也× 牧野 高紘× 小野田 忍× 佐藤 真一郎× 大島 武 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素（SiC）中には室温においても単一光子源（SPS）や量子ビットとして動作する発光中心が存在することが知られ、大型高品質ウエハやデバイス作製技術の開発が進んでいることから量子デバイスへの応用が期待されている。これまでに我々は、ダイオード作製過程でSiC pnダイオードの電極近傍に形成され、電流注入や光励起によって室温動作する高輝度SPS を発見している。しかし、そのSPS の物性理解及び構造同定には至っていない。本研究では、SPS の物性理解を目的にSiC pin ダイオードを作製し、ダイオード作製過程で形成されるSPS の発光特性を調べた。その結果、650nmにピークをもつブロードなものや、730nm付近に比較的急峻なピークをもつもの等、異なる欠陥種に起因すると思われる発光点がi 層中に複数種類存在することが判明した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第64回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2017-03-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
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Cite as
常見, 大貴, 本多, 智也, 牧野, 高紘, 小野田, 忍, 佐藤, 真一郎, 土方, 泰斗, 大島, 武, 本多 智也, 牧野 高紘, 小野田 忍, 佐藤 真一郎, 大島 武, n.d., SiC pin ダイオード中の発光中心の観察.
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