@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066249,
 author = {常見, 大貴 and 本多, 智也 and 牧野, 高紘 and 小野田, 忍 and 佐藤, 真一郎 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and 本多 智也 and 牧野 高紘 and 小野田 忍 and 佐藤 真一郎 and 大島 武},
 month = {Mar},
 note = {炭化ケイ素（SiC）中には室温においても単一光子源（SPS）や量子ビットとして動作する発光中心が存在することが知られ、大型高品質ウエハやデバイス作製技術の開発が進んでいることから量子デバイスへの応用が期待されている。これまでに我々は、ダイオード作製過程でSiC pnダイオードの電極近傍に形成され、電流注入や光励起によって室温動作する高輝度SPS を発見している。しかし、そのSPS の物性理解及び構造同定には至っていない。本研究では、SPS の物性理解を目的にSiC pin ダイオードを作製し、ダイオード作製過程で形成されるSPS の発光特性を調べた。その結果、650nmにピークをもつブロードなものや、730nm付近に比較的急峻なピークをもつもの等、異なる欠陥種に起因すると思われる発光点がi 層中に複数種類存在することが判明した。, 第64回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {SiC pin ダイオード中の発光中心の観察},
 year = {2017}
}