WEKO3
アイテム
シリコン内光誘起キャリアによるドップラー反射を用いたテラヘルツ光の高周波数シフト
https://repo.qst.go.jp/records/65974
https://repo.qst.go.jp/records/659742ff61a38-b114-4313-a537-55fdc820c5be
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-09-28 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコン内光誘起キャリアによるドップラー反射を用いたテラヘルツ光の高周波数シフト | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
河野, 七瀬
× 河野, 七瀬× 坪内, 雅明× 河野 七瀬× 坪内 雅明 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 半導体を光励起した際に発生する自由電子(キャリア)は，十分に高い密度を有する場合，テラヘルツ(THz)光をプラズマ反射する。キャリアは半導体内部で励起光とともに進行するプラズマミラーとして振る舞うため，対向に照射したTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究では，サンプルをシリコン(Si)，励起光を800 nmのフェムト秒パルス光とし，ドップラー反射したTHz光の検出を行った。反射THz光の電場波形および周波数スペクトルの解析から，光励起過程におけるキャリアダイナミクス，及び，ドップラー反射メカニズムの解明を行い，THz領域における新たな周波数変換手法の検討を行った。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第10回分子科学討論会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2016-09-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
