@misc{oai:repo.qst.go.jp:00065974,
 author = {河野, 七瀬 and 坪内, 雅明 and 河野 七瀬 and 坪内 雅明},
 month = {Sep},
 note = {半導体を光励起した際に発生する自由電子(キャリア)は，十分に高い密度を有する場合，テラヘルツ(THz)光をプラズマ反射する。キャリアは半導体内部で励起光とともに進行するプラズマミラーとして振る舞うため，対向に照射したTHz光はドップラー効果により高周波数シフトする。本研究では，サンプルをシリコン(Si)，励起光を800 nmのフェムト秒パルス光とし，ドップラー反射したTHz光の検出を行った。反射THz光の電場波形および周波数スペクトルの解析から，光励起過程におけるキャリアダイナミクス，及び，ドップラー反射メカニズムの解明を行い，THz領域における新たな周波数変換手法の検討を行った。, 第10回分子科学討論会},
 title = {シリコン内光誘起キャリアによるドップラー反射を用いたテラヘルツ光の高周波数シフト},
 year = {2016}
}