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  1. 原著論文

Radiation hardness of b-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation

https://repo.qst.go.jp/records/48905
https://repo.qst.go.jp/records/48905
22acfa5a-343d-493c-98db-49d44b8fbbd6
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2018-05-08
タイトル
タイトル Radiation hardness of b-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors against gamma-ray irradiation
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
アクセス権
アクセス権 metadata only access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_14cb
著者 Hoi, Wong Man

× Hoi, Wong Man

WEKO 492695

Hoi, Wong Man

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武山, 昭憲

× 武山, 昭憲

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武山, 昭憲

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牧野, 高紘

× 牧野, 高紘

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牧野, 高紘

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大島, 武

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大島, 武

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Sasaki, Kohei

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Sasaki, Kohei

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Kuramata, Akito

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Yamakoshi, Shigenobu

× Yamakoshi, Shigenobu

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Yamakoshi, Shigenobu

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武山 昭憲

× 武山 昭憲

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en 武山 昭憲

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牧野 高紘

× 牧野 高紘

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en 牧野 高紘

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大島 武

× 大島 武

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en 大島 武

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The effects of ionizing radiation on b-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) were investigated. A gamma-ray tolerance as high as 1.6 MGy(SiO2) was demonstrated
for the bulk Ga2O3 channel by virtue of weak radiation effects on the MOSFETs’ output current and threshold voltage. The MOSFETs remained functional with insignificant hysteresis in their transfer
characteristics after exposure to the maximum cumulative dose. Despite the intrinsic radiation hardness of Ga2O3, radiation-induced gate leakage and drain current dispersion ascribed respectively to
dielectric damage and interface charge trapping were found to limit the overall radiation hardness of these devices.
書誌情報 APPLIED PHYSICS LETTERS

巻 112, 号 023503, p. 023503-1-023503-5, 発行日 2018-05
出版者
出版者 American institute of physics
DOI
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1063/1.5017810
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Ver.1 2023-05-15 23:23:02.472745
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