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アイテム
Estimation of resist sensitivity for extreme ultraviolet lithography using an electron beam
https://repo.qst.go.jp/records/47594
https://repo.qst.go.jp/records/475944032d9e9-3fd9-4f98-ac70-6e63f5fb7f5e
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2016-12-19 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Estimation of resist sensitivity for extreme ultraviolet lithography using an electron beam | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
大山, 智子
× 大山, 智子× 大島明博× 田川精一× 大山 智子 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 極端紫外線リソグラフィ(EUVL)は、近く半導体製造過程に導入される予定であるが、EUV露光装置は高額で出荷台数も少ないため、レジスト（パターニングに用いられる高分子材料）の基礎研究が十分にできる環境ではない。そのため、本論文では、電子線(EB)を用いてEUVレジストの感度を予測する方法を紹介した。EBとEUVによって誘起される放射線化学反応が同じであるならば、必要吸収線量はほぼ等しいであろうという仮定に基づき、EB感度からEUV感度を算出したところ、予測感度と実測感度がほぼ一致した。波長13.5 nmのEUVLのみならず、その次世代として想定されている波長6.x nmのbeyond-EUVL (BEUVL)の高感度レジスト・新露光プロセスの開発に向け、EBを使った基礎研究が可能であることが分かった。 | |||||
| 書誌情報 |
AIP Advances 巻 6, 号 8, p. 085210-1-085210-7, 発行日 2016-08 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | AIP Publishing | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2158-3226 | |||||
| DOI | ||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.4961378 | |||||
| 関連サイト | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://scitation.aip.org/content/aip/journal/adva/6/8/10.1063/1.4961378 | |||||
| 関連名称 | http://scitation.aip.org/content/aip/journal/adva/6/8/10.1063/1.4961378 | |||||
