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アイテム
イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化
https://repo.qst.go.jp/records/85532
https://repo.qst.go.jp/records/855326127aa82-9f5e-415a-94ac-355f1776acf0
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-06-01 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
田口, 富嗣
× 田口, 富嗣× 山本, 春也× 大場, 弘則× Tomitsugu, Taguchi× Shunya, Yamamoto× Hironori, Oba |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | これまでに、多層カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶炭化ケイ素（SiC）ナノチューブの合成に成功している。さらに、熱処理条件を最適化することで、これまでにない多結晶二層厚壁SiCナノチューブの合成にも成功した。今回は、この多結晶二層厚壁SiCナノチューブを、室温にてイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブを合成することができたので報告する。室温にて、多結晶二層厚壁SiCナノチューブを200keVのSiイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成に成功した。外径が約200nmの外側ナノチューブと、外径が約80nmの内側ナノチューブの二層構造であることが分かった。SiC結晶はイオン照射損傷量が増加するとともに、結晶構造が乱れていき、約3.2dpaの損傷量で全領域がアモルファス状になった。二層厚壁SiCナノチューブの外径や内外ナノチューブ間距離等の形状変化に及ぼす照射量依存性についても、報告する。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 日本顕微鏡学会 第77回学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2021-06-15 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
