{"created":"2023-05-15T15:03:08.328216+00:00","id":85532,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"26381408-84e6-47d7-b8b5-86017535a6c6"},"_deposit":{"created_by":1,"id":"85532","owners":[1],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"85532"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:repo.qst.go.jp:00085532","sets":["10:28"]},"author_link":["1030001","1030000","1030002","1029998","1029999","1029997"],"item_10005_date_7":{"attribute_name":"発表年月日","attribute_value_mlt":[{"subitem_date_issued_datetime":"2021-06-15","subitem_date_issued_type":"Issued"}]},"item_10005_description_5":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"　これまでに、多層カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶炭化ケイ素（SiC）ナノチューブの合成に成功している。さらに、熱処理条件を最適化することで、これまでにない多結晶二層厚壁SiCナノチューブの合成にも成功した。今回は、この多結晶二層厚壁SiCナノチューブを、室温にてイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブを合成することができたので報告する。室温にて、多結晶二層厚壁SiCナノチューブを200keVのSiイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成に成功した。外径が約200nmの外側ナノチューブと、外径が約80nmの内側ナノチューブの二層構造であることが分かった。SiC結晶はイオン照射損傷量が増加するとともに、結晶構造が乱れていき、約3.2dpaの損傷量で全領域がアモルファス状になった。二層厚壁SiCナノチューブの外径や内外ナノチューブ間距離等の形状変化に及ぼす照射量依存性についても、報告する。\n","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_10005_description_6":{"attribute_name":"会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"日本顕微鏡学会　第77回学術講演会","subitem_description_type":"Other"}]},"item_access_right":{"attribute_name":"アクセス権","attribute_value_mlt":[{"subitem_access_right":"metadata only access","subitem_access_right_uri":"http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"田口, 富嗣"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1029997","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"山本, 春也"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1029998","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"大場, 弘則"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1029999","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Tomitsugu, Taguchi","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1030000","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Shunya, Yamamoto","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1030001","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]},{"creatorNames":[{"creatorName":"Hironori, Oba","creatorNameLang":"en"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"1030002","nameIdentifierScheme":"WEKO"}]}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"conference object","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]},"item_title":"イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化"}]},"item_type_id":"10005","owner":"1","path":["28"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2021-06-01"},"publish_date":"2021-06-01","publish_status":"0","recid":"85532","relation_version_is_last":true,"title":["イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化"],"weko_creator_id":"1","weko_shared_id":-1},"updated":"2023-05-15T17:46:04.287658+00:00"}