@misc{oai:repo.qst.go.jp:00085532,
 author = {田口, 富嗣 and 山本, 春也 and 大場, 弘則 and Tomitsugu, Taguchi and Shunya, Yamamoto and Hironori, Oba},
 month = {Jun},
 note = {これまでに、多層カーボンナノチューブとSi粉末との真空熱処理により、多結晶炭化ケイ素（SiC）ナノチューブの合成に成功している。さらに、熱処理条件を最適化することで、これまでにない多結晶二層厚壁SiCナノチューブの合成にも成功した。今回は、この多結晶二層厚壁SiCナノチューブを、室温にてイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブを合成することができたので報告する。室温にて、多結晶二層厚壁SiCナノチューブを200keVのSiイオン照射することにより、アモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成に成功した。外径が約200nmの外側ナノチューブと、外径が約80nmの内側ナノチューブの二層構造であることが分かった。SiC結晶はイオン照射損傷量が増加するとともに、結晶構造が乱れていき、約3.2dpaの損傷量で全領域がアモルファス状になった。二層厚壁SiCナノチューブの外径や内外ナノチューブ間距離等の形状変化に及ぼす照射量依存性についても、報告する。, 日本顕微鏡学会　第77回学術講演会},
 title = {イオン照射によるアモルファス二層厚壁SiCナノチューブの合成とその形状変化},
 year = {2021}
}