WEKO3
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イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング
https://repo.qst.go.jp/records/84008
https://repo.qst.go.jp/records/8400821e10edc-d26a-4a06-b772-4c1796cad926
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2021-12-05 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | イオン注入したNdとGaNフォトニック結晶共振器の光学カップリング | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
佐藤, 真一郎
× 佐藤, 真一郎× 大音, 隆男× 大島, 武× Shinichiro, Sato× Takeshi, Ohshima |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | Si 基板上GaN エピ膜に100 keV-Nd をイオン注入し(注入量1×1014 cm-2、注入深さ約25 nm)、高温熱処理によって光学的に活性化させた後、微細加工技術を用いてPhC L3 共振器を形成した。共振器の設計パラメータによって共振周波数(波長)が変わるため、光学シミュレーションにより最適設計値を決定し、さらに設計パラメータを変化させて共振周波数の変化を調べたところ、L3 共振器の中央部では4F3/2 → 4I9/2 遷移起因の916 nm ピークが増強していることが分かった。以上から、パーセル効果により自然放出レートの増大が起こっていることが示唆される。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第22回「イオンビームによる表面・界面の解析と改質」特別研究会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2021-12-04 | |||||
日付タイプ | Issued |