WEKO3
アイテム
炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発
https://repo.qst.go.jp/records/79035
https://repo.qst.go.jp/records/790355544368a-1baa-4d57-a52d-a58d509a6558
| Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-02-12 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||
| 資源タイプ | conference paper | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
武山, 昭憲
× 武山, 昭憲× 牧野, 高紘× 山崎, 雄一× 大島, 武× 清水, 奎吾× 田中, 保宣× 西垣内, 健汰× 長谷部, 史明× 目黒, 達也× 黒木, 伸一郎× Takeyama, Akinori× Makino, Takahiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 原子力発電所での廃炉作業など、高線量環境で使用できる耐放射線性の半導体イメージセンサが求められている。そこで本研究では、従来のシリコン（Si）を用いた素子に比べバンドギャップが広く、耐放射線性に優れる炭化ケイ素（SiC）に着目し、イメージセンサを実現するための各種要素プロセス技術を開発した。さらに一画素紫外線（UV）イメージセンサを試作し、3 MGyのガンマ線照射後も正常に動作することを実証した。 | |||||
| 書誌情報 |
電気学会 電子デバイス研究会資料 発行日 2020-02 |
|||||
