@inproceedings{oai:repo.qst.go.jp:00079035,
 author = {武山, 昭憲 and 牧野, 高紘 and 山崎, 雄一 and 大島, 武 and 清水, 奎吾 and 田中, 保宣 and 西垣内, 健汰 and 長谷部, 史明 and 目黒, 達也 and 黒木, 伸一郎 and Takeyama, Akinori and Makino, Takahiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 book = {電気学会　電子デバイス研究会資料},
 month = {Feb},
 note = {原子力発電所での廃炉作業など、高線量環境で使用できる耐放射線性の半導体イメージセンサが求められている。そこで本研究では、従来のシリコン（Si）を用いた素子に比べバンドギャップが広く、耐放射線性に優れる炭化ケイ素（SiC）に着目し、イメージセンサを実現するための各種要素プロセス技術を開発した。さらに一画素紫外線（UV）イメージセンサを試作し、3 MGyのガンマ線照射後も正常に動作することを実証した。},
 title = {炭化ケイ素半導体を用いた耐放射線性イメージセンサの開発},
 year = {2020}
}