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アイテム
FinFET SRAMにおけるシングルイベント効果
https://repo.qst.go.jp/records/77876
https://repo.qst.go.jp/records/77876e53ddbaa-03ff-4060-b8ab-a75b3dffcb6a
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-12-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | FinFET SRAMにおけるシングルイベント効果 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
竹内, 浩造
× 竹内, 浩造× 行松, 和輝× 加藤, 貴志× 坂本, 敬太× 土屋, 佑太× 渡部, 杏太× 松山, 英也× 武山, 昭憲× 大島, 武× 久保山, 智司× 新藤, 浩之× Takeyama, Akinori× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 従来の平面構造トランジスタでは困難であった、10～サブ10nmオーダの微細化および高集積化を可能にする3次元ゲート構造トランジスタ（FinFET）を用いて、メモリ素子(SRAM（Static random access memory)）を試作し、シングルイベント現象による特性変化を調べた。線幅14/16nmで試作したFinFET SRAMに対し、イオン種、メモリ駆動電圧及び素子への重イオンの入射角度を変えて照射を行った。FinFET SRAMでは、複数のメモリセルのビットが反転するマルチセルアップセットが発生し、またその挙動が重イオンの飛程（レンジ）に依存せず、照射前の書き込み値に依存することを明らかにした。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | QST高崎サイエンスフェスタ2019 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-10 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
