@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077876,
 author = {竹内, 浩造 and 行松, 和輝 and 加藤,    貴志 and 坂本, 敬太 and 土屋, 佑太 and 渡部, 杏太 and 松山, 英也 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and 久保山, 智司 and 新藤, 浩之 and Takeyama, Akinori and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {従来の平面構造トランジスタでは困難であった、10～サブ10nmオーダの微細化および高集積化を可能にする3次元ゲート構造トランジスタ（FinFET）を用いて、メモリ素子(SRAM（Static random access memory)）を試作し、シングルイベント現象による特性変化を調べた。線幅14/16nmで試作したFinFET SRAMに対し、イオン種、メモリ駆動電圧及び素子への重イオンの入射角度を変えて照射を行った。FinFET SRAMでは、複数のメモリセルのビットが反転するマルチセルアップセットが発生し、またその挙動が重イオンの飛程（レンジ）に依存せず、照射前の書き込み値に依存することを明らかにした。, QST高崎サイエンスフェスタ2019},
 title = {FinFET SRAMにおけるシングルイベント効果},
 year = {2019}
}