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アイテム
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
https://repo.qst.go.jp/records/77807
https://repo.qst.go.jp/records/778071c59f286-204b-4bfc-848c-7e799f578bf5
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-11-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
楢原, 拓真
× 楢原, 拓真× 佐藤, 真一郎× 児島, 一聡× 山崎, 雄一× 土方, 泰斗× 大島, 武× Narahara, Takuma× Sato, Shinichiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥（SiC-NVセンター）は量子センサとしての応用が期待されているが、その効率的な形成条件については明らかになっていない。本研究では、不純物窒素濃度が異なる4H-SiCエピタキシャル膜に対し、様々な条件でのイオンビーム照射を行い、室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行い、SiC-NVセンターの形成量を評価した。その結果、不純物窒素濃度、欠陥導入量の変化によるSiC-NVセンター起因の発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-12-04 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
