WEKO3
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{"_buckets": {"deposit": "576c5da8-80e2-414a-8ae8-6ae8e4a15c04"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "77807", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "77807"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:repo.qst.go.jp:00077807", "sets": ["28"]}, "author_link": ["822777", "822776", "822781", "822782", "822773", "822774", "822778", "822780", "822779", "822775"], "item_10005_date_7": {"attribute_name": "発表年月日", "attribute_value_mlt": [{"subitem_date_issued_datetime": "2019-12-04", "subitem_date_issued_type": "Issued"}]}, "item_10005_description_5": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": " 4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥(SiC-NVセンター)は量子センサとしての応用が期待されているが、その効率的な形成条件については明らかになっていない。本研究では、不純物窒素濃度が異なる4H-SiCエピタキシャル膜に対し、様々な条件でのイオンビーム照射を行い、室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行い、SiC-NVセンターの形成量を評価した。その結果、不純物窒素濃度、欠陥導入量の変化によるSiC-NVセンター起因の発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_10005_description_6": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "先進パワー半導体分科会 第6回講演会", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "楢原, 拓真"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822773", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "佐藤, 真一郎"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822774", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "児島, 一聡"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822775", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "山崎, 雄一"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822776", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "土方, 泰斗"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822777", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "大島, 武"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822778", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Narahara, Takuma", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822779", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Sato, Shinichiro", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822780", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Yamazaki, Yuichi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822781", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Ohshima, Takeshi", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "822782", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference object", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f"}]}, "item_title": "4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係"}]}, "item_type_id": "10005", "owner": "1", "path": ["28"], "permalink_uri": "https://repo.qst.go.jp/records/77807", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2019-11-15"}, "publish_date": "2019-11-15", "publish_status": "0", "recid": "77807", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係"], "weko_shared_id": -1}
4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係
https://repo.qst.go.jp/records/77807
https://repo.qst.go.jp/records/778071c59f286-204b-4bfc-848c-7e799f578bf5
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2019-11-15 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
楢原, 拓真
× 楢原, 拓真× 佐藤, 真一郎× 児島, 一聡× 山崎, 雄一× 土方, 泰斗× 大島, 武× Narahara, Takuma× Sato, Shinichiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥(SiC-NVセンター)は量子センサとしての応用が期待されているが、その効率的な形成条件については明らかになっていない。本研究では、不純物窒素濃度が異なる4H-SiCエピタキシャル膜に対し、様々な条件でのイオンビーム照射を行い、室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行い、SiC-NVセンターの形成量を評価した。その結果、不純物窒素濃度、欠陥導入量の変化によるSiC-NVセンター起因の発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会 第6回講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2019-12-04 | |||||
日付タイプ | Issued |