@misc{oai:repo.qst.go.jp:00077807,
 author = {楢原, 拓真 and 佐藤, 真一郎 and 児島, 一聡 and 山崎, 雄一 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and Narahara, Takuma and Sato, Shinichiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 month = {Dec},
 note = {4H-SiC中における電子を1個捕獲した窒素・空孔複合欠陥（SiC-NVセンター）は量子センサとしての応用が期待されているが、その効率的な形成条件については明らかになっていない。本研究では、不純物窒素濃度が異なる4H-SiCエピタキシャル膜に対し、様々な条件でのイオンビーム照射を行い、室温および80 Kでのフォトルミネッセンス測定を行い、SiC-NVセンターの形成量を評価した。その結果、不純物窒素濃度、欠陥導入量の変化によるSiC-NVセンター起因の発光強度の変化を系統的に明らかにすることができた。, 先進パワー半導体分科会　第6回講演会},
 title = {4H-SiC中の窒素・空孔複合欠陥の形成量と窒素不純物濃度の関係},
 year = {2019}
}