WEKO3
アイテム
Below-Gap 励起光を用いたFET 構造4 H SiCの欠陥準位の検出
https://repo.qst.go.jp/records/76936
https://repo.qst.go.jp/records/769368dc3ff97-0ba6-47f6-8c5c-c951918eea46
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-09-26 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Below-Gap 励起光を用いたFET 構造4 H SiCの欠陥準位の検出 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Detection of Defect Levels in 4H SiC FET by Below Gap E xcitation Light | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
小野寺, 奎
× 小野寺, 奎× 鎌田, 憲彦× 土方, 泰斗× 武山, 昭憲× 大島, 武× 吉江, 徹× Takeyama, Akinori× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 炭化ケイ素（SiC）は高電界、高温動作性に優れ、パワー半導体素子への応用が進められている。さらなる高効率・高信頼化のためには、キャリア再結合中心として働き素子効率、信頼性を低下させる結晶欠陥準位密度の低減が望まれる。本研究では金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構造の試料に、SiCのバンドギャップよりも小さいエネルギーを持つ禁制帯内励起（Below-Gap Excitation, BGE）光（波長1,064nm（エネルギー1.17eV））を断続照射し、フォトルミネッセンス（PL）強度の変動から欠陥準位の検出を試みた。その結果、BGE光の照射によりPL強度は徐々に低下し、MOSFET構造中の欠陥準位の検出が可能であることが明らかになった。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第80回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-09-19 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
