@misc{oai:repo.qst.go.jp:00076936,
 author = {小野寺, 奎 and 鎌田, 憲彦 and 土方, 泰斗 and 武山, 昭憲 and 大島, 武 and 吉江, 徹 and Takeyama, Akinori and Ohshima, Takeshi},
 month = {Sep},
 note = {炭化ケイ素（SiC）は高電界、高温動作性に優れ、パワー半導体素子への応用が進められている。さらなる高効率・高信頼化のためには、キャリア再結合中心として働き素子効率、信頼性を低下させる結晶欠陥準位密度の低減が望まれる。本研究では金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)構造の試料に、SiCのバンドギャップよりも小さいエネルギーを持つ禁制帯内励起（Below-Gap Excitation, BGE）光（波長1,064nm（エネルギー1.17eV））を断続照射し、フォトルミネッセンス（PL）強度の変動から欠陥準位の検出を試みた。その結果、BGE光の照射によりPL強度は徐々に低下し、MOSFET構造中の欠陥準位の検出が可能であることが明らかになった。, 第80回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {Below-Gap 励起光を用いたFET 構造4 H SiCの欠陥準位の検出},
 year = {2019}
}