WEKO3
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4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II)
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Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2019-03-18 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御(II) | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
阿部, 裕太
× 阿部, 裕太× 梅田享英× 岡本光央× 原田信介× 佐藤, 真一郎× 山崎, 雄一× 大島, 武× Abe, Yuta× Sato, Shinichiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 4H-SiC MOSFET チャネルに存在する表面SPSの発光特性ゲート電圧依存性について調べた。MOSFETのしきい値電圧付近で発光強度が増加または減少するSPSが観察された。これは過去の研究例(P8センター)からの類推から、表面SPSの電荷状態がー1→ー2、0→-1にそれぞれ変化するためと考察した。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2019-03-11 | |||||
日付タイプ | Issued |