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アイテム
4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）
https://repo.qst.go.jp/records/74777
https://repo.qst.go.jp/records/747774b2d4e7e-1668-4b3e-9cca-939e97c2f694
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-03-18 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II） | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
阿部, 裕太
× 阿部, 裕太× 梅田享英× 岡本光央× 原田信介× 佐藤, 真一郎× 山崎, 雄一× 大島, 武× Abe, Yuta× Sato, Shinichiro× Yamazaki, Yuichi× Ohshima, Takeshi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 4H-SiC MOSFET チャネルに存在する表面SPSの発光特性ゲート電圧依存性について調べた。MOSFETのしきい値電圧付近で発光強度が増加または減少するSPSが観察された。これは過去の研究例（P8センター)からの類推から、表面SPSの電荷状態がｰ1→ｰ２、0→-1にそれぞれ変化するためと考察した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第66回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2019-03-11 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
