@misc{oai:repo.qst.go.jp:00074777,
 author = {阿部, 裕太 and 梅田享英 and 岡本光央 and 原田信介 and 佐藤, 真一郎 and 山崎, 雄一 and 大島, 武 and Abe, Yuta and Sato, Shinichiro and Yamazaki, Yuichi and Ohshima, Takeshi},
 month = {Mar},
 note = {4H-SiC MOSFET チャネルに存在する表面SPSの発光特性ゲート電圧依存性について調べた。MOSFETのしきい値電圧付近で発光強度が増加または減少するSPSが観察された。これは過去の研究例（P8センター)からの類推から、表面SPSの電荷状態がｰ1→ｰ２、0→-1にそれぞれ変化するためと考察した。, 第66回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {4H-SiC MOSFET チャネルの単一光子源のゲート電圧制御（II）},
 year = {2019}
}