WEKO3
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SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
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https://repo.qst.go.jp/records/72999841ac2d4-eae3-47cc-9938-8172846bd53a
Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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公開日 | 2018-11-12 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
資源タイプ | conference object | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
著者 |
常見, 大貴
× 常見, 大貴× 佐藤, 真一郎× 山崎, 雄一× 牧野, 高紘× 土方, 泰斗× 大島, 武× 常見 大貴× 佐藤 真一郎× 山崎 雄一× 牧野 高紘× 大島 武 |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | これまでに、熱酸化によってSiC表面近傍に形成される単一光子源(表面SPS)を発見している。しかし、その構造は未同定であり、且つ、SPSの発光波長ピークに分布がある原因が明らかとなっていない。我々は、この発光波長変動はSPSの局所構造の違いであると推察しており、本研究では酸化膜時間(酸化膜厚)や酸化後熱処理といった酸化膜/SiC界面に影響を及ぼすプロセスがSPSの発光特性に及ぼす影響を調べた。 | |||||
会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 先進パワー半導体分科会第5回講演会参加の為 | |||||
発表年月日 | ||||||
日付 | 2018-11-07 | |||||
日付タイプ | Issued |