@misc{oai:repo.qst.go.jp:00072999,
 author = {常見, 大貴 and 佐藤, 真一郎 and 山崎, 雄一 and 牧野, 高紘 and 土方, 泰斗 and 大島, 武 and 常見 大貴 and 佐藤 真一郎 and 山崎 雄一 and 牧野 高紘 and 大島 武},
 month = {Nov},
 note = {これまでに、熱酸化によってSiC表面近傍に形成される単一光子源（表面SPS）を発見している。しかし、その構造は未同定であり、且つ、SPSの発光波長ピークに分布がある原因が明らかとなっていない。我々は、この発光波長変動はSPSの局所構造の違いであると推察しており、本研究では酸化膜時間（酸化膜厚）や酸化後熱処理といった酸化膜／SiC界面に影響を及ぼすプロセスがSPSの発光特性に及ぼす影響を調べた。, 先進パワー半導体分科会第5回講演会参加の為},
 title = {SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性},
 year = {2018}
}