WEKO3
アイテム
MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制
https://repo.qst.go.jp/records/67153
https://repo.qst.go.jp/records/671537105d913-303c-48e1-af7b-992b9897470c
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2019-02-15 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
上杉, 智洋
× 上杉, 智洋× 佐々木, 拓生× 高橋, 正光× 上杉 智洋× 佐々木 拓生× 高橋 正光 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | GaNナノワイヤの発光特性は、これまでバンド端付近(365 nm)の発光に関しては成長条件との相関、イエロールミネッセンスと呼ばれる500~600 nm付近の発光に関しては、ナノワイヤの極性や形状との相関について調べられている。しかし、GaNナノワイヤとGaN薄膜及びGaN基板との発光特性の比較は行われていない。そこで本研究は、RF-MBE法を用いてGaNナノワイヤとGaN薄膜をそれぞれ作製し、PL法を用いて発光特性を比較した。 | |||||
| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第79回応用物理学会秋季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-09-19 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
