@misc{oai:repo.qst.go.jp:00067153,
 author = {上杉, 智洋 and 佐々木, 拓生 and 高橋, 正光 and 上杉 智洋 and 佐々木 拓生 and 高橋 正光},
 month = {Sep},
 note = {GaNナノワイヤの発光特性は、これまでバンド端付近(365 nm)の発光に関しては成長条件との相関、イエロールミネッセンスと呼ばれる500~600 nm付近の発光に関しては、ナノワイヤの極性や形状との相関について調べられている。しかし、GaNナノワイヤとGaN薄膜及びGaN基板との発光特性の比較は行われていない。そこで本研究は、RF-MBE法を用いてGaNナノワイヤとGaN薄膜をそれぞれ作製し、PL法を用いて発光特性を比較した。, 第79回応用物理学会秋季学術講演会},
 title = {MBE成長GaNナノワイヤにおけるイエロールミネッセンスの抑制},
 year = {2018}
}