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アイテム
NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性
https://repo.qst.go.jp/records/66685
https://repo.qst.go.jp/records/66685c638c585-6da5-4c87-aeee-be96be49266f
| Item type | 会議発表用資料 / Presentation(1) | |||||
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| 公開日 | 2018-03-24 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_c94f | |||||
| 資源タイプ | conference object | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
永野, 耕平
× 永野, 耕平× 目黒, 達也× 武山, 昭憲× 牧野, 高 紘× 大島, 武× 田中, 保宣× 武山 昭憲× 牧野 高紘× 大島 武 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | ソースおよびドレイン電極にNbNiシリサイドを用いた3C-SiC nMOSFETを作製し、動作評価およびガンマ線照射実験を行った。Si基板上に3C-SiC (100)をp型エピタキシャル成長(エピ厚: 5 μm)させた基板に、5×1018cm3の濃度のAlを600℃加熱下にて基板全面に注入した後、1350℃で60分のキャップアニールを実施することで基板のp型化を図った。全面注入後の基板にSiO2のダミーゲートを形成した後、500℃加熱下で5×1020 cm3の濃度のPを注入し、1250℃で60分のキャップアニールを行いソース、ドレイン領域を形成した。基板全面にSiO2層を堆積させ、ゲート部のSiO2層を除去した後1000℃での水素燃焼酸化によりゲート絶縁膜(20nm)を形成した。その後、ソース、ドレイン部にNb/Niの積層構造を堆積させ、900℃で5minのアニールによりシリサイド化することでオーミックコンタクトを形成し、その上からAlゲート電極を成膜した。 ドレインソース間電圧Vds=0.1 VのときのId-Vg特性からnMOSFETとしての動作が確認され、しきい値電圧は5.8 V程度であり、移動度はおよそ44.6cm2/Vsとなった。さらに室温で2MGyまでのガンマ線照射した後においてもnMOSFETとしての動作が確認され、ガンマ線耐性を示すことを確認した。 |
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等） | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 第65回応用物理学会春季学術講演会 | |||||
| 発表年月日 | ||||||
| 日付 | 2018-03-20 | |||||
| 日付タイプ | Issued | |||||
