@misc{oai:repo.qst.go.jp:00066685,
 author = {永野, 耕平 and 目黒, 達也 and 武山, 昭憲 and 牧野, 高 紘 and 大島, 武 and 田中, 保宣 and 武山 昭憲 and 牧野 高紘 and 大島 武},
 month = {Mar},
 note = {ソースおよびドレイン電極にNbNiシリサイドを用いた3C-SiC nMOSFETを作製し、動作評価およびガンマ線照射実験を行った。Si基板上に3C-SiC (100)をp型エピタキシャル成長(エピ厚: 5 μm)させた基板に、5×1018cm3の濃度のAlを600℃加熱下にて基板全面に注入した後、1350℃で60分のキャップアニールを実施することで基板のp型化を図った。全面注入後の基板にSiO2のダミーゲートを形成した後、500℃加熱下で5×1020 cm3の濃度のPを注入し、1250℃で60分のキャップアニールを行いソース、ドレイン領域を形成した。基板全面にSiO2層を堆積させ、ゲート部のSiO2層を除去した後1000℃での水素燃焼酸化によりゲート絶縁膜(20nm)を形成した。その後、ソース、ドレイン部にNb/Niの積層構造を堆積させ、900℃で5minのアニールによりシリサイド化することでオーミックコンタクトを形成し、その上からAlゲート電極を成膜した。
ドレインソース間電圧Vds=0.1 VのときのId-Vg特性からnMOSFETとしての動作が確認され、しきい値電圧は5.8 V程度であり、移動度はおよそ44.6cm2/Vsとなった。さらに室温で2MGyまでのガンマ線照射した後においてもnMOSFETとしての動作が確認され、ガンマ線耐性を示すことを確認した。, 第65回応用物理学会春季学術講演会},
 title = {NbNiシリサイドS/D 3C-SiC nMOSFETsと高ガンマ線 照射特性},
 year = {2018}
}